FG flash的浮栅极材料是导体。任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体间都构成一个电容器。因此，任何两个存储单元的浮栅极就构成一个电容器，一个浮栅极里面电荷的变化，都会引起别的存储单元浮栅极电荷的变化。 一个浮栅极与其附近的浮栅极之间，都存在耦合电容，这个电容大小与彼此之间距离成反比：距离越短，电容越大，彼此影响越大（回想一下初中物理知识，平板电容器电容公式C=εS/4πkd，其中d就是平板之间距离）。因此，随着闪存制程减小，存储单元之间影响越来越大。因此，Cell-to-Cell interface也是影响制程继续往前的一个因素。 FG flash对浮栅极下面的绝缘层（Tunnel氧化物）很敏感，该氧化物厚度变薄（制成减小导致的）或者老化（degradation, 擦写次数多了），浮栅极里面的电子就容易跑出来。浮栅极里面的电子可以自由移动，是从不良绝缘层跑出来的关键。 早起尺寸为70nm的胞元可经受10000次的P/E，现在尺寸为1Xnm的胞元只能经受2000次的P/E操作。 NAND Flash存储体通过基于浮栅的MOS管，即胞元来存储信息，根据胞元阈值电压的不同表征存储信息的不同。胞元浮栅极上下被绝缘层包围，当电荷通过编程注入浮栅后，即使掉电电荷也不会泄漏，存储的信息也不会丢失。
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